Sự khác nhau giữa transistor NPN và PNP

Sự khác nhau giữa transistor NPN và PNP : Transistor là linh kiện được sử dụng nhiều nhất trong các thiết bị điện tử.

Tải Full Sách Điện Tử Cơ Bản

Các transistor chủ yếu được chia thành hai loại là transistor lưỡng cực (BJT) và transistor hiệu ứng trường (FET). BJT có thể được chia thành hai loại dựa trên cấu tạo của chúng được gọi là transistor NPN và PNP.

Trước khi đi vào tìm hiểu Sự khác nhau giữa transistor NPN và PNP, chúng ta sẽ giải thích những điều cơ bản về transistor.

Transistor BJT được hình thành do sự kết hợp của các lớp vật liệu bán dẫn loại P và N xen kẽ . Có hai cách kết hợp. Đó là nếu vật liệu Loại N được kẹp giữa hai vật liệu loại P để tạo thành bóng bán dẫn PNP hoặc vật liệu loại P được kẹp giữa hai vật liệu loại N để tạo thành bóng bán dẫn NPN

Đây là Sơ đồ chân của transistor BC-547 NPN và BC-557 PNP tương ứng.

Điều cần biết: Tên của Transistor có nguồn gốc từ sự kết hợp của các từ Transfer và Resistance. Nói cách khác, một transistor chuyển tiếp điện trở từ đầu này sang đầu kia. Tóm lại, một bóng bán dẫn có điện trở cao ở phần đầu vào trong khi điện trở thấp ở phần đầu ra.

Transistor NPN – Sự khác nhau giữa transistor NPN và PNP

Transistor NPN được hình thành bởi sự kết hợp của hai vật liệu loại N và một vật liệu loại P. trong đó vật liệu Loại P được kẹp giữa hai Loại N. Vùng P ở trung tâm là lớp mỏng nhất nó gọi là cực B. Một trong những vùng N là lớp dày nhất nhưng được pha tạp nhẹ được gọi là cực C trong khi vùng N còn lại là lớp tương đối mỏng hơn nhưng được pha tạp nhiều so với cực C được gọi là Cực E.

Ba cực Collector, Base và Emitter lần lượt được thể hiện ở hình trên. Cực C và cực E có điện tử là hạt tải điện đa số trong khi cực B có lỗ trống có hạt tải điện đa số. Ngược lại, cực C và E có các lỗ trống là hạt mang điện tích thiểu số trong khi B có các điện tử là hạt mang điện tích thiểu số.

Phần cực B là một lớp P mỏng có phần lớn là các lỗ trống. Đặt một điện áp dương đối giữa B và E nó sẽ đẩy các điện tử trong cực B (vùng p). Vì nó mỏng và pha tạp nhẹ, các điện tử kết hợp với các lỗ trống dẫn đến sự xâm nhập vào vùng nghèo khiến các điện tử chảy từ đầu cực C sang cực E.

Do đó, trong transistor NPN, việc áp đặt một xung dương ở cực B gây ra dòng điện có hướng từ cực C đến cực E. Trong khi dòng điện tỷ lệ thuận với dòng điện cơ bản.

Ký hiệu của bóng bán dẫn NPN cũng được sử dụng để xác định hướng của dòng điện. Đầu mũi tên nhỏ hướng ra ngoài đến cực E cho thấy hướng dòng điện đi ra ngoài đến cực E.

Vì phần lớn các hạt tải điện trong cực C và E là các electron và chúng chịu trách nhiệm cho dòng điện chạy qua. Do đó, hạt tải điện đa số trong transistor NPN là các electron trong khi các lỗ trống mang điện tích nhỏ nhất.

Transistor NPN BẬT bằng cách đặt điện áp dương ở cực B trong khi nó tắt bằng cách đặt điện áp thấp 0v ở cực B.

Vì phần lớn các hạt mang điện tích là các electron và chúng có tốc độ nhanh nên thời gian phục hồi của transistor NPN nhanh. Nó dẫn đến NPN có thời gian chuyển mạch BẬT và TẮT rất nhỏ, do đó cung cấp tốc độ chuyển mạch rất cao.

Transistor PNP – Sự khác nhau giữa transistor NPN và PNP

Các transistor PNP được hình thành bởi sự kết hợp của 2 lớp P và 1 lớp N. Lớp N mỏng được kẹp giữa hai lớp P dày. Lớp N ở giữa được gọi là cực B trong khi hai lớp còn lại được gọi là collector và emitter.

Cực E và C có các lỗ trống là hạt mang điện tích đa số trong khi B có các electron là hạt mang điện tích đa số. Các hạt tải điện thiểu số trong cực C và E là các điện tử trong khi ở B là các lỗ trống.

Đặt một điện áp âm vào B so với cực E sẽ đẩy các lỗ trống vào Cực B. Vì cực B có các điện tử là hạt tải điện đa số, các lỗ trống sẽ kết hợp với các điện tử và khiến chúng xâm nhập vào vùng nghèo. Do đó, dòng điện từ cực E sẽ bắt đầu chạy về cực C. Dòng điện này là do sự hiện diện của phần lớn lỗ trống mang điện tích.

Sự khác nhau giữa transistor NPN và PNP

Bảng so sánh sau đây cho thấy một số Sự khác nhau giữa transistor NPN và PNP.

Transistor NPN	Transistor PNP
Nó được làm bằng sự kết hợp của hai lớp N và một lớp P.	Nó được tạo thành từ hai lớp P và một lớp N.
Nó được hình thành bằng cách kẹp lớp P giữa lớp N.	Nó được hình thành bằng cách kẹp lớp N giữa các lớp P.
Cực E và C được kết nối với vùng N.	Cực E và C được kết nối với vùng P.
Cực B được kết nối với vùng nghèo P.	Cực B được kết nối với vùng nghèo N.
Các hạt tải điện đa số là các electron.	Phần lớn các hạt mang điện tích là lỗ trống.
Các hạt tải điện thiểu số là lỗ trống.	Các hạt tải điện thiểu số là các electron.
Nó bắt đầu dẫn khi các electron đi vào vùng B.	Nó bắt đầu dẫn khi các lỗ trống đi vào vùng B.
Nó bật bằng cách đặt một điện áp dương vào cực B.	Nó bật bằng cách đặt một điện áp âm vào cực B.
Nó tắt bằng cách đặt một điện áp thấp vào cực B.	Nó tắt bằng cách áp dụng một điện áp dương vào cực B
Dòng điện chạy từ C đến E.	Dòng điện chạy từ E đến C.
Dòng điện đi vào từ cực B đến E.	Dòng điện đi vào từ E đến B.
Trong biểu tượng NPN, mũi tên hướng ra ngoài đến cực E.	Trong biểu tượng PNP, mũi tên hướng vào trong từ cực E.
Nó có thời gian chuyển mạch nhỏ do đó có tốc độ chuyển mạch cao.	Nó có thời gian chuyển mạch cao do đó có tốc độ chuyển mạch thấp.